林兰英 （1918-2003）半导体材料科学家。女。福建莆田人。1940年毕业于福建协和大学林兰英物理系，留校任教。1948年6月赴美国狄金逊学院攻读数学，同时选学物理和化学，一年后获得学士学位。1949年秋赴美国宾州大学学习固体物理，1955年获博士学位。毕业后，随即在索文尼亚（Sylvania）公司任高级工程师，专门研究半导体物理。1957年回国，历任中国科学院物理研究所研究员、半导体研究所研究员、副所长。1980当选为中国科学院学部委员（院士）。曾任中国科协副主席，全国人大常委，国家自然科学基金委员会委员，中国电子材料行业协会主任委员等职。她是我国半导体科学事业开拓者之一，长期从事半导体材料科学研究工作。1957年拉制成功中国第一根锗单晶；1958年研制成功中国第一根硅单晶；1961年主持成功设计我国第一台开门式硅单晶炉；1962年拉制成功砷化镓单晶，1964年砷化镓二极管激光器也问世；1987年拉制成功两块太空砷化镓单晶，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础，被誉为“太空半导体材料之母”。1978年负责研制的高纯度砷化镓汽相外延和液相外延材料达到国际先水平，其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平，1981年获中科院科技进步一等奖、1985年获国家科技进步二等奖。1981年参与组织领导4千位16千位大规模集成电路-MOS随机存储器的研制，1980、1982年两次获中科院科技进步一等奖。晚年又开创了我国微重力半导体材料科学研究新领域，并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了世人瞩目的成绩。1989年获中科院科技进步一等奖。1990年获国家科技进步三等奖。1996年获何梁何利科技进步奖。1998年获霍英东成就奖。著作有《硅的欧姆接触的制备》和《锗和硅的载流子抽出的电极的制备》，论文有《锑化铟单晶中位错的散射机理的研究》《稀有金属》《半导体中的缺陷》等20多篇。参见华侨华人卷“林兰英”。