太空生长砷化镓单晶研究 半导体材料。福建莆田人林兰英院士等研制。她在新中国半导体材料科学历史上有多项“第一”：1957年研成我国第一个锗单晶，1958年又研成我国第一根硅单晶，1962年自行设计我国第一台硅单晶炉，还是世界上最早在太空制成半导体材料砷化镓的科学家。砷化镓是一种很有发展潜力的新型半导体材料，但其太空研制对技术条件的要求十分苛刻。她长期跟踪国际砷化镓单晶的研究动态，于1986年2月独立而果断地提出：在我国返回卫星上进行太空生长砷化镓单晶材料的研究，这是有效提高砷化镓单晶质量的最佳方案。1987年8月，在我国自己发射的返回式卫星上，在90分钟难得的供电时间内，采用降温凝固法生长的两块火炬头型砷化镓单晶，引起了国内外科学家的极大兴趣。经实验验证，这种太空生长的砷化镓单晶具有如下突出的优点：无密排的杂质条纹，表征材料的均匀性优良；深能级类型减少，其浓度大为降低；晶体的完整性明显优于地面生长的单晶；微缺陷有大幅度改观。1988年8月，她领导联合研究组，再次在我国的返回式卫星上，成功地进行了掺硅砷化镓单晶太空生长试验，在世界上第一次利用太空材料制成半导体器件。它的研成，标志着我国在太空熔体生长砷化镓单晶方面居世界领先水平。